Общие характеристики
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Тактовая частота
1333 МГц
Пропускная способность
10600 Мб/с
Объем
1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Тайминги
CAS Latency (CL)
9
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
Row Precharge Delay (tRP)
9
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля
4, односторонняя упаковка
Напряжение питания
1.5 В
Количество ранков
1